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    Cr4+:YAG晶體

    Cr4+:YAG晶體

    更新日期:2024-05-14

    訪問量:906

    廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

    生產(chǎn)地址:

    簡要描述:
    Cr4+:YAG晶體
    它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收,同時具有高熔點(diǎn)、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點(diǎn),常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。

    Cr4+:YAG晶體

    Cr4+:YAG晶體

    日本進(jìn)口boya-Cr4+:YAG晶體

    Cr4+:YAG

    Cr4+:YAG晶體是一種優(yōu)秀的飽和吸收材料。它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收,同時具有高熔點(diǎn)、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點(diǎn),常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。
    Cr4+:YAG晶體特征
    ● 壽命長
    ● 高損傷閾值
    ● 高穩(wěn)定性
    ● 高可靠性
     

    基本參數(shù)

    項目參數(shù)
    化學(xué)分子式Cr4+:Y3AI5O12
    晶向[100]或[111]
    初始吸收系數(shù)0.5~6cm-1@1064nm
    初始透過率5%~95%@1064nmm
    元件尺寸直徑:3~12mm 截面:2×2~30×30mm
    尺寸公差直徑:+0,-0.02mm,厚度: +0.2,-0mm
    柱面加工精磨
    端面平行度≤10"
    端面平面度λ/10 per inch @632.8nm
    光潔度10-5(MIL-PRF-13830B)
    增透膜反射率R<0.15%@1064nm
    膜層抗激光損傷閾值>750MW/cm2

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